Cristal de diamant de fabrication humaine de type N

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Produit de détail

Le carbure de silicium (SiC), également appelé carborundum / kɑːrbəˈrʌndəm /, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone. Il se produit dans la nature sous la forme d'un moissanite minéral extrêmement rare . La poudre de SiC synthétique est produite en série depuis 1893 pour être utilisée comme abrasif. Les grains de carbure de silicium peuvent être liés par frittage pour former des céramiques très dures largement utilisées dans des applications nécessitant une résistance élevée, telles que freins de voiture, embrayages de voiture et plaques de céramique dans des gilets pare-balles. Les applications électroniques du carbure de silicium, telles que les diodes électroluminescentes (DEL) et les détecteurs dans les premières radios, ont été présentées pour la première fois aux alentours de 1907. Le SiC est utilisé dans les dispositifs électroniques à semi-conducteurs fonctionnant à haute température et / ou à haute tension. La méthode Lely permet de faire croître de gros monocristaux de carbure de silicium et de les couper en gemmes connues sous le nom de moissanite synthétique. Le SiC de grande surface peut être produit à partir de SiO2 contenu dans un matériel végétal.


L'histoire

Premières expériences

Les synthèses de carbure de silicium non systématiques, moins reconnues et souvent non vérifiées comprennent:

Réduction du fluorosilicate de potassium par le potassium par JJ Berzelius (1810)

César-Mansuète Despretz passe un courant électrique dans une tige de carbone incrustée dans du sable (1849)

Dissolution de la silice dans de l'argent fondu dans un creuset en graphite par Robert Sydney Marsden (1881)

Chauffage par Paul Schuetzenberger d'un mélange de silicium et de silice dans un creuset en graphite (1881)

Chauffage par Albert Colson du silicium sous un courant d'éthylène (1882).
Cristal de diamant artificiel de type N

Produit

4H-SiC et 6H-SiC

Qualité

Grade l

Grade ll

Diamètre

50.8mm ± 0.38mm

Épaisseur

8mm ou spécification client

Orientation à plat primaire

Perpendiculaire à <11-20> ± 5.0︒

Longueur à plat primaire

15.88mm ± 1.65mm

Orientation à plat secondaire

90 ° CW à partir du primaire ± 5.0 °

Longueur à plat secondaire

8,0 m ± 1,65 mm

Direction de la puce à angle positif

{0001} ± 0,28

Orientation de la plaquette hors axe

4,0 ° vers <11-20> ± 0,5 °

8,0 ° vers <11-20> ± 0,5 °

Exclusion de bord

1,0㎜

TTV / Bow

<15um><>

Micropipe Densité

<10pièce>

<30 pièce="">

Résistivité

Conducteur

0,01-0,03 image × cm

0,01-0,1 image × cm

Semi-isolant > 105 image × cm

Finition de surface

Poli (Si face Ra <0,2nm) ou="" spécification="">


Utile de notre cristal de moissanite, moissanite rugueux

Utilisations du carbure de silicium

Éléments de circuit électronique

LED ultraviolette

Le carbure de silicium a été le premier matériau semi-conducteur important sur le plan commercial. Une diode de détection à cristal de radio «carborundum» (carbure de silicium synthétique) a été brevetée par Henry Harrison Chase Dunwoody en 1906. Elle a été utilisée beaucoup plus tôt dans les récepteurs de bord.

Dispositifs électroniques de puissance

Le carbure de silicium est un semi-conducteur utilisé dans la recherche et la production en série au début offrant des avantages pour les dispositifs rapides, à haute température et / ou à haute tension. Les premiers dispositifs disponibles étaient les diodes Schottky, suivies des FET à porte de jonction et des MOSFET pour la commutation de forte puissance. Les transistors bipolaires et les thyristors sont actuellement développés. L’élimination des défauts est un problème majeur pour la commercialisation du SiC: dislocations des bords, dislocations des vis (noyau creux et noyau fermé), défauts triangulaires et dislocations du plan de base.



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Histoire de la marque

Hmois

En 1893, le Dr Henry Moissan, lauréat du prix Nobel de France, découvrit ces morceaux de sic étincelants.

En 1905, pour commander Dr. Henri Moissan, le joyau nouvellement trouvé a été nommé Moissanite

Notre société pour fêter le Dr. Henry Moissan, a donc nommé notre marque à Hmois

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Enquête

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